一、多晶硅太阳能板，电子束蒸发和电镀

一般，使用正胶剥离工艺，蒸镀Ti/Pa/Ag多层金属电极，要减小金属电极所引起的串联电阻，往往需要金属层比较厚（8～10微米）。缺点是电子束蒸发造成硅外表/钝化层介面损害，使外表复合进步，因而，工艺中，选用短时蒸发Ti/Pa层，在蒸发银层的工艺。

另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度进步。工艺中，选用了隧道结接触的办法，在硅和金属成间构成一个较薄的氧化层（一般厚度为20微米左右）应刻苦函数较低的金属(如钛等)可在硅外表感应一个稳定的电子积累层(也可引入固定正电荷加深反型)。

另外一种办法是在钝化层上开出小窗口（小于2微米），再淀积较宽的金属栅线（一般为10微米），构成mushroom-like状电极，用该办法在100px2 Mc-Si上电池的转化功率到达17.3％。

二、多晶硅太阳能板，PN结的构成技能

1、发射区构成和磷吸杂 : 关于高效太阳能电池，发射区的构成一般选用选择分散，在金属电极下方构成重杂质区域而在电极间完结浅浓度分散，发射区的浅浓度分散即增强了电池对蓝光的响应，又使硅外表易于钝化。分散的办法有两步分散工艺、分散加腐蚀工艺和埋葬分散工艺。目前选用选择分散，15×375px2电池转化功率到达16.4%，n++、n+区域的外表方块电阻分别为20Ω和80Ω。

关于Mc-Si资料，扩磷吸杂对电池的影响得到广泛的研讨，较长时刻的磷吸杂进程（一般3～4小时），可使一些Mc-Si的少子分散长度进步两个数量级。在对衬底浓度对吸杂效应的研讨中发现，即使对高浓度的衬第资料，经吸杂也可以取得较大的少子分散长度（大于200微米），电池的开路电压大于638mv, 转化功率超越17％。单晶太阳能电池板

2、背外表场的构成及铝吸杂技能 : 在Mc-Si电池中，背p+p结由均匀分散铝或硼构成，硼源一般为BN、Bp、APCVD SiO2：B2O8等，铝分散为蒸发或丝网印刷铝，800度下烧结所完结，对铝吸杂的作用也开展了大量的研讨，与磷分散吸杂不同，铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺点也参加了杂质的溶解和沉积，而在较高温度下，沉积的杂质易于溶解进入硅中，对Mc-Si发生晦气的影响。到目前为至，区域背场已使用于单晶硅电池工艺中，但在多晶硅中，仍是使用全铝背外表场结构。

3、双面Mc-Si电池 : Mc-Si双面电池其正面为惯例结构，反面为N＋和P＋相互穿插的结构，这样，正面光照发生的但位于反面邻近的光生少子可由背电极有用吸收。背电极作为对正面电极的有用补充，也作为一个独立的栽流子收集器对反面光照和散射光发生作用。

三、多晶硅太阳能板，外表和体钝化技能

关于Mc-Si，因存在较高的晶界、点缺点（空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物）对资料外表和体内缺点的钝化尤为重要，除前面说到的吸杂技能外，钝化工艺有多种办法，通过热氧化使硅悬挂键饱满是一种比较常用的办法，可使Si-SiO2界面的复合速度大大下降，其钝化作用取决于发射区的外表浓度、界面态密度和电子、空穴的浮获截面。在氢气氛中退火可使钝化作用更加显着。选用PECVD淀积氮化硅近期正面十分有用，由于在成膜的进程中具有加氢的作用。该工艺也可使用于规模化出产中。太阳能板

四、多晶硅太阳能板，工业化电池工艺

太阳电池从研讨室走向工厂，试验研讨走向规模化出产是其发展的道路，所以可以到达工业化出产的特征应该是：

（1）电池的制造工艺可以满足流水线作业；

（2）可以大规模、现代化出产；

（3）到达高效、低成本。当然，其主要目标是降低太阳电池的出产成本。

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