多数载流子的扩散运动

　　如果将P型和N型半导体两者紧密结合，连成一体，导电类型相反的两块半 导体之间的过渡区域，称为P-N结。在PN结两边，P区内，空穴很多， 电子很少;而在N区内，则电子很多，空穴很少。因此，在P型和N型半导体交界面的两边，电子和空穴的浓度不相等，因此会产生多数载流子的扩散运动。

　　在靠近交界面附近的P区中，空穴要由浓度大的P区向浓度小的N区扩散,并与那里的电子复合，从而使该处出现~批带 正电荷的掺人杂质的离子;同时,在P区内，由于跑掉了一批空穴而呈现带负电荷的掺人杂质的离子。

　　在靠近交界面附近的N区中，电子要由浓度大的N区向浓度小的P区扩散，并与那里的空穴复合，从而使该处出现批带负电荷的掺人杂质的离子;同时，在N区内，由于跑掉了一批电子而呈现带正电荷的掺人杂质的离子。

　　于是，扩散的结果是在交界面的两边形成靠近N区的一边带正电荷，而靠近P区的另一边带负电荷的一层很薄的区域，称为空间电荷区(也称耗尽区)，这就是P-N结。在P-N结内，由于两边分别积聚了正电荷和负电荷，会产生一个由N区指向P区的反向电场，称为内建电场(或势垒电场)。

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