20世纪70年代初,非晶硅薄膜初由R. C. Chitteck等人通过PECVD沉积获得。1976年,RCA实验室的Cave与ChrisWronski制作了效率为2.4%的块非晶硅薄膜太阳电池。1979年，Usui和Kikuchi宣布,在原有的非晶硅薄膜制备技术基础上，通过增加氢稀释度，获得氢化微晶硅薄膜(nc-Si:H)。现在，硅薄膜叠层电池已成为硅薄膜电池发展的重点。1980 年，日本三洋电器公司利用非晶硅电池制成了袖珍计算器。经过20世纪80年代的研究开发,非晶硅太阳电池的转换效率和稳定性有了明显的突破。1988 年，与建筑材料相结合的非晶硅太阳能电池投入应用。

　　20世纪90年代开始，为解决转换效率和稳定性问题，叠层非晶硅太阳电池得到了发展，1m以下的转换效率6%左右的非品硅太阳电池组件成为主流。2006年下半年，全球大的半导体设备供应商一美国应用材料( Apply Materias)公同看好光伏产业发展，借助在TFT- L.CD产业主要设备PECVD、PVD的优势,采用8.5代设备进军薄膜光伏产业，集成推广了40MW单结非晶硅太阳电池生产线，使5. 72m光伏组件的转换效率达到了6%，2008年更是推出了同一组件尺寸的65MW非晶硅/微晶硅叠层太阳电池生产线。目前世界上大的非晶硅电池组件是美国应用材料公司的SunFab生产线生产的8.5代2. 2m x2.6m的非晶硅/微晶硅电池，其转换效率为8% ,稳定功率接近458W。但由于氢化非晶硅合金是一种性能复 杂的半导体材料,许多性质还处于研究阶段，相关理论也有待丰富完善。虽然非晶硅太阳电池的研究与发展成果斐然，但与晶体硅太阳电池相比，无论是材料理论、器件研究,还是工艺，仍处在逐渐成熟的阶段。

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