基于以上各种测试非晶硅太阳电池光致衰减的现象，取适当的模型用计算机模拟分析及大量的实验也得出类似的结果，其主要结论有以下几点:

　　①光诱导在非晶硅中所产生的缺陷与沉积非晶硅时所产生的缺陷不同800彩票，差别在于前者具有更大的俘获截面。

　　②在光谱响应上， 光由P↑层人射的非晶硅太阳电池( ITO/P-I-N/SS)光诱导效应的结果使长波响应下降，而光由N*层人射的非晶硅太阳电池( ITO/N-I-P/SS)光诱导效应的结果使短波响应下降。

　　③无论光从P还是N+层人射,载流子收集的损失主要是体复合所致，而对上述两种电池来说，均在N*/I界面具有大的复合速率。

　　④光诱导效应增加了电池I层中的复合，从而使得空穴的书散长度及μζ乘积值下降，即电池的衰减主要由I层所致。

　　⑤在AM1持续光照下,转换效率在前48h下降快,之后变化较小。

    ⑥光诱导使电池性能衰减严重是发生在开路状态的情况下。

　　⑦光诱导的结果使电池的填充因子下降快800彩票，而电池的开路电压相对地衰减较小。

    ⑧在150 ~ 200C的退火条件下，太阳电池的性能可以重新恢复。

800彩票　　⑨衰减程度与I层厚度有关，当小于300nm时，太阳电池性能相对比较稳定。

　　⑩太阳电池工作在高温(高于90C)时其光致衰减较小，有可能是缺陷的产生与退火作用相平衡所致。

　　⑾太阳电池受光照之后其结品质因子增大。

　　⑿在1层中加人少量(约1x 10*)硼或磷均可改善太阳电池的稳定性，但必须”格控明，

　　否则可能导致转换效率的下降，

800彩票　　⒀ ITO/P-I-N/SS太阳电池与TO/N-L-P/SS太阳电池相比，前者的光致衰减较羽。

　　综合以上分析，可以把太阳电池衰减的原因归纳为两点:一是1层中带隙中心附近费不能级的移动:二是1层中带院下半部态密度的增加。

　　从结构上讲，一种观点认为光照后非晶硅膜的弱键断裂或重新组合，从而产生悬挂键，因此测量到了非晶硅太阳电池的光致衰减。另种观点则认为，在非晶硅网络中已存在了缺陷，光照或退火的作用仅改变了它们的电荷状态或键的构成。但无论何种模型都认为，掺硼可削弱非晶硅网络中的缺陷。

　　通过广泛的研究可以肯定，如果要控制非晶硅中的S-W效应为弱，使用收集长度比1层厚度大得多的材料是一个主要途径。这样，非晶硅太阳电池转换效率的光照衰减会降至低，然而需要指出的是，非晶硅太阳电池的光致衰减过程并非仅由S-W效应所引起，还有其他因素，仍需进行深入的研究。

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