非晶硅(amorphous silicon. a-Si) 薄膜太阳能电池板

　　在晶体硅太阳能电池板中，真正起发电作用的仅是硅片表面附近的很少部分，离表面较远部分并不直接起发电作用，为了尽量节约硅材料，有效降低生产成本，晶体硅太阳电池正向薄片化方向发展。目前硅片厚度已降至200um以下;另一方面，就是向薄膜化方向发展，非晶硅薄膜太阳电池是早实现进入市场的商业化薄膜太阳能电池板。

　　非晶体硅薄膜太阳能电池板，是在非硅的衬底上制作很薄的硅薄膜来发电。制作硅薄膜的方法普通采用等商子增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemiceal Vapor Deposition, PECVD)，向面言之就是把原材料硅烷(Sil,)利用辉光放电位其分解，借助化学反应在衬底上堆积硅薄膜。非品碑中的原子大致上保持与晶体硅相同的基本结构。晶体硅是每一个硅原子通过共价键与其他4个硅原子键合成四面体，掺氢非晶硅仅以共价键与其他3个相邻的硅原子相键合，面硅的第4个价原子与氢原子键合。在掺氧非晶硅中，化合氢的含量用原子百分数表示占10%左右。这些复原子会直接对悬挂键(dangling bond)缺陷结合，减少对电子的捕获，以达到非晶硅的低缺陷密度，使其能够作为太阳能电池板应用。下面，从应用者视角，有必要关注下面的内容：

　　非晶硅太阳电池与晶体硅太阳电池的不同点非晶体太阳电池基本也是P-N结构，其工作与晶体硅太阳电池没有大的区别。

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